با اتصال  قطب مثبت منبع تغذیه به کریستال نوع N و قطب منفی آن به کریستال نوع P، دیود را در بایاس معکوس یا مخالف قرار داده ایم.
دراین بایاس الکترونهایی از قطب منفی منبع تغذیه وارد نیمه هادی نوع P می شوند و با ترکیب این الکترون ها با حفره های مجاور ناحیه تخلیه سبب افزایش عرض ناحیه تخلیه در نیمه هادی نوع P می شوند. همچنین در نیمه هادی نوع N، با جذب الکترونهای اطراف ناحیه تخلیه به قطب مثبت منبع تغذیه؛ آن نواحی از الکترون تهی می شود و به این ترتیب در نیمه هادی نوع N نیز عرض ناحیه تخلیه افزایش می یابد. اگر ناحیه تخلیه افزایش یابد، سبب افزایش پتانسیل سد می شود و افزایش پتانسیل سد تا جایی دامه می یابد تا پتانسیل سد با ولتاژ منبع تغذیه برابر شود و پس از آن عرض ناحیه تخلیه ثابت خواهد ماند. علت این امر این است که زمانی که پتانسیل سد با ولتاژ منبع تغذیه برابر شود در نیمه هادی نوع N، عاملی که مانع نزدیک شدن این الکترونها به ناحیه تخلیه می شود نیروی دافعه بین یون های منفی و الکترونهای قطب منفی منبع تغذیه و در نتیجه عرض ناحیه تخلیه در این نیمه هادی ثابت می ماند. همچنین در نیمه هادی نوع P نیز، عاملی که مانع دور شدن این الکترونها از این نواحی می شود نیروی جاذبه بین یون های مثبت و الکترونهای اطراف ناحیه تخلیه، و در نتیجه در این نیمه هادی نیز عرض ناحیه تخلیه ثابت می ماند. البته توجه داشته باشید که در بایاس معکوس دیود، جریان بسیار ضعیفی از دیود عبور می کند که جهت این جریان از طرف کاتد به طرف آند است و علت برقراری این جریان در دیود این است که در بایاس معکوس دیود، در ناحیه تخلیه یک میدان الکتریکی قوی ایجاد می شود. تحت تأثیر این میدان و نیز انرژی حرارتی محیط ، بعضی از پیوند های کووالانسی بین یون ها و اتم ها شکسته شده و الکترونهایی آزاد می شوند. الکترونهای آزاد شده در خلاف جهت میدان حرکت کرده و خود را به قطب مثبت منبع تغذیه می رسانند. بعضی از این الکترونها در طول مسیر خود با حامل های اقلیت نیمه هادی نوع N یعنی حفره ها ترکیب می شوند و در اثر شکسته شدن پیوندها یی ، مجدداً همان تعداد الکترون آزاد می شود که به طرف قطب مثبت منبع تغذیه حرکت می کنند. هم زمان در نیمه هادی نوع P نیز ، حامل های اقلیت که الکترونها هستند وارد ناحیه تخلیه شده و با حفره های ایجاد شده ترکیب می شوند و همان تعداد الکترون از منبع تغذیه وارد نیمه هادی نوع P می شود و به این ترتیب جریان ضعیفی در دیود جاری می شود که به آن جریان اشباع معکوس دیود می گویند. بنابراین، این حامل های اقلیت نیمه هادی ها هستند که سبب برقراری جریان اشباع معکوس در دیود می شوند. میتوان گفت که مقدار جریان اشباع معکوس دیود به درجه حرارت محیط وابسته است و پس از به اشباع رسیدن جریان معکوس دیود، افزایش ولتاژ معکوس در مقدار آن تأثیری ندارد.

آدرس : تهران - میدان ولی عصر - مرکز تجارت ایرانیان - طبقه نهم - واحد پنج

ساعت کاری بخش اداری : 9 صبح تا 7 عصر

کلاس های روز جمعه ویژه کارمندان و دوره های فشرده دایر میباشد 

phone325 3

اطلاعات-تماس