معروف ‌ترین ترانزیستور اثرمیدان در مدارهای آنالوگ و دیجیتال، ماسفت یا ترانزیستور اثرمیدانی نیمه ‌رسانا-اکسید-فلز است.
در ترانزیستور اثر میدان (FET) پایهٔ کنترلی، جریانی مصرف نمی‌کند و تنها با اعمال ولتاژ و ایجاد میدان درون نیمه رسانا، جریان عبوری از FET کنترل می‌شود. از همین روی ورودی این مدار هیچ اثر بارگذاری بر روی طبقات تقویت قبلی نمی‌گذارد و امپدانس بسیار بالایی دارد. تفاوت زیاد ماسفت با ترانزیستور JFET در این است که گیت ترانزیستورهای ماسفت توسط لایه‌ای از اکسید سیلیسیم SiO از کانال مجزا شده است. با توجه به این موضوع به ماسفتها فِت با گیت مجزا گفته میشود. مدارهای مجتمع بر پایهٔ فناوری ترانزیستورهای اثر میدان MOS، را می‌توان بسیار ریزتر و ساده‌ تر از مدارهای مجتمع بر پایهٔ ترانزیستورهای دوقطبی ساخت، بی آن که حتی در مدارها و تابع‌های پیچیده و مقیاس ‌های بزرگ نیازی به مقاومت، دیود، یا دیگر قطعه‌های الکترونیکی داشته باشند. همین ویژگی، تولید انبوه آن‌ها را آسان می‌کند، چندان که هم اکنون بیش‌تر از ۸۵ درصد مدارهای مجتمع، بر پایهٔ فناوری MOS طراحی و ساخته می‌شوند.
ترانزیستورهای MOS، بسته به کانالی که در آن‌ها شکل می‌گیرد،  NMOSیا PMOS نامیده می‌شوند. در آغاز کار، PMOS ترانزیستور پرکاربردتر در فناوری MOS بود. اما از آن جا که ساختن NMOS آسان‌تر است و مساحت کم‌تری هم می‌گیرد، از PMOS پیشی گرفت. بر خلاف ترانزیستورهای دوقطبی، در ترانزیستورهای MOSFET، جریان نتیجهٔ شارشِ تنها یک حامل (الکترون یا حفره) در میان پیوندها است و از این رو، این ترانزیستورها را تک‌ قطبی هم می‌نامند.

 سایت آموزش الکترونیک